1N65G
1个N沟道 耐压:650V 电流:1A产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
封装SOT-223
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)1A
导通电阻(RDS(on))11Ω@10V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)4.8nC@10V
反向传输电容(Crss)5.4pF
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)150pF
输出电容(Coss)25pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：71277近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥0.860
总 价:
￥0.860
圆盘
数量价格
5￥0.860
50￥0.670
150￥0.575
500￥0.504
2500￥0.398
5000￥0.370
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