2N60G
1个N沟道 耐压:600V 电流:2A产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
封装SOT-223
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))4.5Ω@10V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)7.2nC@10V
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)320pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：2400近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥0.960
总 价:
￥0.960
圆盘
数量价格
5￥0.960
50￥0.747
150￥0.640
500￥0.561
2500￥0.450
5000￥0.418
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