AS3407C
P沟道增强型MOSFET,电流:-4.1A,耐压:-30V产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-55℃~+150℃
封装SOT-23
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))65mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))2.4V@250uA
栅极电荷量(Qg)6nC@10V
反向传输电容(Crss)60pF@15V
输入电容(Ciss)490pF@15V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：2970近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥0.404
总 价:
￥0.404
圆盘
数量价格
10￥0.404
100￥0.322
300￥0.281
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