CRST060N10N
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装管
封装TO-220
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)227W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)68.5nC@10V
反向传输电容(Crss)40.5pF@50V
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)4.429nF@50V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：6071近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥3.652
总 价:
￥3.652
管
数量价格
1￥3.652
10￥2.915
50￥2.684
100￥2.310
500￥2.101
1000￥1.980
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