CRTT084NE6N
1个N沟道 耐压:68V 电流:81A产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装管
工作温度-55℃~+150℃
封装TO-220
漏源电压(Vdss)68V
连续漏极电流(Id)81A
导通电阻(RDS(on))7.1mΩ@10V,40A
耗散功率(Pd)111W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)72nC@10V
反向传输电容(Crss)219pF@35V
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)3.091nF@35V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：5016近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥2.154
总 价:
￥2.154
管
数量价格
5￥2.154
50￥1.818
150￥1.605
500￥1.339
2000￥1.220
5000￥1.148
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