HGE055NE4A
N沟道,电流:18A,耐压:45V产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-55℃~+150℃
封装SOP-8
漏源电压(Vdss)45V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))4.4mΩ@10V,18A
耗散功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th))1.75V
栅极电荷量(Qg)24nC@10V
反向传输电容(Crss)32pF
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)1.156nF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：4近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥1.202
总 价:
￥1.202
圆盘
数量价格
5￥1.202
50￥0.947
150￥0.838
500￥0.702
2500￥0.626
5000￥0.590
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