
IRF540NSTRL(UMW)
MOS(场效应管)产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
封装TO-263
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V
耗散功率(Pd)70W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)55nC
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货:0制造商标准包装数量
型号暂时无货,可订阅到货通知
近期成交量:0单圆盘
数量价格
5¥2.356
50¥1.850
150¥1.634
800¥1.363
2400¥1.242
4800¥1.170