IV1Q12080T3
IV1Q12080T3产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装管
工作温度-55℃~+175℃
类型1个N沟道
配置-
封装TO-247-3
漏源电压(Vdss)1200V
连续漏极电流(Id)42A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@20V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))3.6V
栅极电荷量(Qg)76nC
反向传输电容(Crss)6.7pF
输入电容(Ciss)1680pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：0制造商标准包装数量
型号暂时无货,可订阅到货通知
近期成交量:0单管
数量价格
1￥81.048
10￥72.633
30￥66.154
90￥60.500
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