
IV1Q12160T3
IV1Q12160T3产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装管
类型1个N沟道
封装TO-247-3
漏源电压(Vdss)1200V
连续漏极电流(Id)19A
耗散功率(Pd)134W
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货:0制造商标准包装数量
型号暂时无货,可订阅到货通知
近期成交量:0单管
数量价格
1¥70.323
10¥60.423
30¥54.395
90¥49.335