IV1Q12750T3
IV1Q12750T3产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装管
工作温度-55℃~+175℃
类型1个N沟道
配置-
封装TO-247-3
漏源电压(Vdss)1200V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on))750mΩ@20V
耗散功率(Pd)78.4W
阈值电压(Vgs(th))4.3V
栅极电荷量(Qg)15.8nC
反向传输电容(Crss)2.6pF
输入电容(Ciss)260pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：18近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥36.443
总 价:
￥36.443
管
数量价格
1￥36.443
10￥31.361
30￥25.982
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