LTU02N65A
N沟道,电流:2.0A,耐压:650V产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装管
工作温度-55℃~+150℃
封装TO-251
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))4Ω@10V,1A
耗散功率(Pd)55W
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)9nC@325V
反向传输电容(Crss)6pF@25V
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)290pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：76近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥1.305
总 价:
￥1.305
管
数量价格
5￥1.305
50￥1.027
150￥0.894
525￥0.747
2250￥0.681
5250￥0.641
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