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SanDisk(闪迪)
HGSEMI(华冠)
包装
袋
管
卷
托盘
圆盘
工作温度
-40℃~+85℃
-25℃~+85℃
-40℃~+105℃
配置
-
SLC
封装
-
SMD
SO-8
SOP-8
DIP-8
MSOP-8
SOIC-8
BGA-153
SOT23-5
SOT-23-5
FBGA-153
DFN-8(3x3)
15x11x1.0mm
DFN-8-EP(3x3)
11.5x13x0.8mm
BGA-153(11.5x13)
BGA-254(11.5x13)
FBGA-153(11.5x13)
存储容量
-
8Gb
4Gb
16Gb
32Gb
64Gb
128Gb
8Kbit
4Kbit
1Kbit
2Kbit
7.28GB
32Kbit
64Kbit
16Kbit
128Kbit
256Kbit
512Kbit
工作电压
2.5V~5.5V
1.8V~5.5V
1.7V~5.5V
2.7V~3.6V
接口类型
I2C
SPI
eMMC 5.1
时钟频率(fc)
3MHz
2MHz
1MHz
400kHz
写周期时间(Tw)
5ms
4ms
3ms
10ms
20ms
数据保留 - TDR(年)
40年
100年
200年
写周期寿命
10万次
100万次
200万次
顺序读/写
80/- MB/s
20/5 MB/s
40/10 MB/s
60/55 MB/s
235/- MB/s
270/- MB/s
300/40MB/s
300/- MB/s
800/- MB/s
160/- MB/s
150/300MB/s
300/40 MB/s
300/80 MB/s
230/300MB/s
260/300MB/s
150/245 MB/s
125/300 MB/s
270/230 MB/s
290/120 MB/s
290/115 MB/s
230/105 MB/s
230/110 MB/s
346/217 MB/s
145/245 MB/s
160/120 MB/s
160/300 MB/s
245/130 MB/s
230/300 MB/s
300/160 MB/s
700/400 MB/s
随机读/写
8k/17k iops
14k/22k iops
15K/20K iops
50K/45K iops
30K/50K iops
12k/22k iops
14k/7.8k iops
12k/7.8k iops
3900/1900 iops
顺序读速度
245MB/S
160MB/S
230MB/S
310MB/S
290MB/S
顺序写速度
130MB/S
150MB/S
120MB/S
145MB/S
110MB/S
105MB/S
115MB/S
NAND工作电压(VCCF)
2.7V~3.6V
控制器工作电压(VCCQ)
2.7V~3.6V;1.7V~1.95V
NAND待机电流
70uA
30uA
80uA
40uA
50uA
100uA
120uA
130uA
控制器待机电流
150uA
160uA
450uA
120uA
110uA
140uA
综合排序
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