产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 JFET
包装袋
封装TO-92-3
FET类型1个N沟道
栅源击穿电压(Vgss)25V
耗散功率(Pd)350mW
输入电容(Ciss)5pF@15V
工作温度-65℃~+150℃
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：0近期成交量:0单
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