CS9N90ANHD
N沟道,电流:9A,耐压:900V产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装管
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
封装TO-3P
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))1.3Ω@10V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)65nC@10V
反向传输电容(Crss)13pF
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)3.85nF
输出电容(Coss)185pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：2046近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥7.546
总 价:
￥7.546
管
数量价格
1￥7.546
10￥6.325
25￥5.456
100￥4.697
500￥4.356
1000￥4.202
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