FP100R12KT4B11
FP100R12KT4B11产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 IGBT
包装袋
封装-
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)100A
耗散功率(Pd)515W
栅极阈值电压(Vge(th))2.1V@15V,100A
输入电容(Cies)6.3nF@25V
工作温度-40℃~+150℃
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：9近期成交量:0单
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