产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 IGBT
包装袋
封装-
IGBT类型NPT(非穿通型)
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)105A
耗散功率(Pd)355W
栅极阈值电压(Vge(th))2.2V@15V,75A
输入电容(Cies)5.3nF@25V
工作温度-40℃~+125℃@(Tj)
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：13近期成交量:0单
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