HGQ014N04B-G
HGQ014N04B-G产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
配置-
封装DFN-8(5x6)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))1.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)96W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)93.7nC@10V
反向传输电容(Crss)81pF
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)5.131nF
输出电容(Coss)2.238nF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：3805近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥3.245
总 价:
￥3.245
圆盘
数量价格
1￥3.245
10￥2.519
30￥2.200
100￥1.804
500￥1.705
1000￥1.606
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