MS34P01
P沟道,电流:4.2A,耐压:30V产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
封装SOT-23
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.2A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.38W
阈值电压(Vgs(th))1.3V@250uA
栅极电荷量(Qg)9.4nC@4.5V
反向传输电容(Crss)77pF
输入电容(Ciss)954pF
输出电容(Coss)115pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：100近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥1.010
总 价:
￥1.010
圆盘
数量价格
5￥1.010
50￥0.803
150￥0.701
500￥0.624
3000￥0.561
6000￥0.530
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