MSD100N110SC
MSD100N110SC产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
配置-
封装TO-252
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@10V
耗散功率(Pd)94W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)28.8nC@10V
反向传输电容(Crss)33pF
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)1.95nF
输出电容(Coss)665pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：20近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥3.674
总 价:
￥3.674
圆盘
数量价格
1￥3.674
10￥3.586
30￥3.531
100￥3.476
工商网监