产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
配置-
封装TO-252
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V
耗散功率(Pd)69W
阈值电压(Vgs(th))3.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)13.7nC@10V
反向传输电容(Crss)5.3pF
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)872pF
输出电容(Coss)48pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：9近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥2.728
总 价:
￥2.728
圆盘
数量价格
1￥2.728
10￥2.662
30￥2.629
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