产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 JFET
包装袋
封装TO-18
FET类型1个N沟道
栅源截止电压(VGS(off))3V@1nA
栅源击穿电压(Vgss)-
耗散功率(Pd)1.8W
导通电阻(RDS(on))100Ω
漏源电流(Idss)30mA@20V
输入电容(Ciss)12pF@20V
工作温度-55℃~+200℃
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：0近期成交量:0单
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