TPD4E1B06DRLR_TI(德州仪器)中文资料_英文资料_价格_PDF手册
2024-06-14 10:42:19
阅读量:41
采用 SOT 和 SC70 封装且具有 0.5nA 最大泄漏电流的四路 0.7pF、±5.5V、±12kV ESD 保护二极管
1 特性
• 超低泄漏电流 0.5nA(最大值)
• 针对 4 条输入输出 (I/O) 线路的瞬态保护
– IEC 61000-4-2 接触放电 ±12kV
– IEC 61000-4-2 空气间隙放电 ±15kV
– IEC 61000-4-5 浪涌 3.0A (8/20µs)
• I/O 电容 0.7pF(典型值)
• 双向瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管阵列
• 低 ESD 钳位电压
• 工业温度范围:-40°C 至 125°C
• 小型、易于走线的 DRL 和 DCK 封装
2 应用范围
• 血糖仪
• 平板电脑
• 全球定位系统 (GPS)
• 便携式媒体播放器
• 电视
• 机顶盒

3 说明
TPD4E1B06 是一款 4 通道双向瞬态电压抑制器 (TVS)二极管阵列。 这款器件特有超低泄露电流 (0.5nA) 来实现精确模拟测量。 ±12kV 接触和 ±15kV 空气间隙ESD 保护超过 IEC 61000-4-2 4 级要求。
TPD4E1B06 的 0.7pF 线路电容值使得它非常适合于精密模拟,USB2.0,以太网,SATA,低压差分信令(LVDS) 和 1394 接口。

TPD4E1B06DRLR 采用 SOT 和 SC70 封装且具有 0.5nA 最大泄漏电流的四路 0.7pF、±5.5V、±12kV ESD 保护二极管
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