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TPD4E1B06DRLR_TI(德州仪器)中文资料_英文资料_价格_PDF手册
2024-06-14 10:42:19
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TPD4E1B06DRLR

采用 SOT 和 SC70 封装且具有 0.5nA 最大泄漏电流的四路 0.7pF、±5.5V、±12kV ESD 保护二极管

 

 

 

 

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1 特性

 

• 超低泄漏电流 0.5nA(最大值)

• 针对 4 条输入输出 (I/O) 线路的瞬态保护

– IEC 61000-4-2 接触放电 ±12kV

– IEC 61000-4-2 空气间隙放电 ±15kV

– IEC 61000-4-5 浪涌 3.0A (8/20µs)

• I/O 电容 0.7pF(典型值)

• 双向瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管阵列

• 低 ESD 钳位电压

• 工业温度范围:-40°C 至 125°C

• 小型、易于走线的 DRL 和 DCK 封装

 

 

 

 

2 应用范围

 

• 血糖仪

• 平板电脑

• 全球定位系统 (GPS)

• 便携式媒体播放器

• 电视

• 机顶盒

 

 

                            


 

3 说明

 

TPD4E1B06 是一款 4 通道双向瞬态电压抑制器 (TVS)二极管阵列。 这款器件特有超低泄露电流 (0.5nA) 来实现精确模拟测量。 ±12kV 接触和 ±15kV 空气间隙ESD 保护超过 IEC 61000-4-2 4 级要求。

 

TPD4E1B06 的 0.7pF 线路电容值使得它非常适合于精密模拟,USB2.0,以太网,SATA,低压差分信令(LVDS) 和 1394 接口。


                              

TPD4E1B06DRLR 采用 SOT 和 SC70 封装且具有 0.5nA 最大泄漏电流的四路 0.7pF、±5.5V、±12kV ESD 保护二极管