CSD25213W10_TI(德州仪器)中文资料_英文资料_价格_PDF手册
2024-06-18 11:42:28
阅读量：44
采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、47mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
特性
• 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
• 小尺寸封装 1mm x 1mm
• 低高度（高度为 0.62mm）
• 无铅
• 栅 - 源电压钳位
• 栅极静电放电 (ESD) 保护
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
应用范围
• 电池管理
• 负载开关
• 电池保护
说明
此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。
CSD25213W10 采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、47mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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