CSD75208W1015

采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共源极、108mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 M

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1 特性

• 双路 P 通道 MOSFET

• 共源配置

• 1.5mm x 1mm 小尺寸封装

• 栅极 - 源电压钳位

• 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV

• 无铅

• 符合 RoHS 环保标准

• 无卤素

2 应用

• 电池管理

• 负载开关

• 电池保护

3 说明

此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形 尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电 阻与小型低厚度封装结合在一起，使得此器件成为电池 供电运行空间受限应用的 理想选择。