EVM User's Guide:

LMG1020EVM-006 使用 LMG1020EVM-006

1 简介

LMG1020 器件是一款单通道低侧驱动器，专为驱动高频率应用（包括激光雷达、飞行时间、面部识别和任何涉及 低侧驱动器的电源转换器）中的 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 而设计。LMG1020EVM-006 设计用于评估 LMG1020。此 EVM 包含一个由一个 LMG1020 驱动的氮化镓 (GaN) 增强型 FET，GaN FET 的漏极连接到一个 未组装的电阻负载，该负载代表了适用于激光雷达（光检测和测距）应用的典型激光二极管负载。

该用户指南显示了电路和物料清单，其中描述了如何为电路板供电以及如何配置电路板。EVM 旨在加速 LMG1020 的评估。

此 EVM 并不用作独立产品，而是用于评估 LMG1020 的开关性能。

本用户指南介绍了 EVM 的正确操作和测量，以及 EVM 的结构和典型性能。

2 说明

LMG1020EVM-006 是一种易于使用的小型功率级，上面可以安装电阻负载（代表典型激光二极管负载）和激光二 极管。节 6 介绍了设置开箱即用型电路板并适应电阻负载的程序。未安装的电阻负载将有助于在安装激光二极管 并为其加电之前实现应用所需的脉冲。EVM 采用可进行缓冲（和缩短）或直接传递到功率级的短脉冲输入。

输入脉冲信号用于对流经负载（未安装开箱即用负载）的电流施加脉冲，以实现 1ns 至 2ns 宽电流脉冲，这是 LiDAR 系统的高标准目标。

EVM 具有一个 LMG1020，驱动以接地为基准的单个 EPC2019 FET，且漏极连接到未安装的电阻负载。 该电路板有一个可以安装电阻负载的位置，以及可以安装选择激光二极管的较大焊盘。负载（安装后）在两个电 流环路之间进行分配，以降低有效电感。

该功率级能够在占空比 ~0.1%和最高频率为 2MHz 的情况下向负载（安装后）提供高达 40A 的电流。它包括足够 的热管理（应监控外壳温度并确保气流充足）。

2.1 典型应用

LMG1020 适用于可能需要纳秒脉冲宽度的高频应用。极短脉冲能力和短传播延迟可实现出色的解决方案。

典型应用包括：

• 激光雷达功率级

• 无线电源

• VHF 转换器

2.2 特性

LMG1020 具有以下特性和规格：

• 用于 5V 驱动 GaN 和硅质 FET 的单个低侧超快速驱动器

• 5V 单电源

• 施密特触发型 CMOS 输入，可确保稳定性

• 传播延迟：2.5ns（典型值），4.5ns（最大值）

• 典型上升/下降时间为 400ps

• UVLO 和过热保护

• 最小封装 0.8 x 1.2 WCSP，可最大限度降低栅极环路电感及提高功率密度

LMG1020EVM 还包含 SN74LVC1G08，这是一个单路 2 输入正与门，具有以下特性：

• LMG1020 输入缓冲器

• 用于通过在与门的一个输入端使用 R-C 滤波器来缩短输入脉冲宽度 (图 10-1)

• 在 R3 上增加一个 0Ω 电阻器并取下 R10 来断开与门输出，从而绕过缓冲器。

EVM 还具有低 ESL，0.47uF 馈通式电容器（图 7-1 中的 C4）

• 馈通式结构缩短了与 GND 的距离，并实现了低 ESL

• 低 ESL 可防止 VDD 上出现振铃（建议最大值为 5.4V）

• 可以替换为一个尽可能靠近引脚的 0201 电容器